2024.08.19

木村睦研究室の卒業生の新規半導体デバイスの論文が出版されました。
タイトルは「Improvement of Memristive Characteristic of In-Ga-Zn-O Thin-Film Memristor by Conductive Buffer Layers」（ガリウムスズ薄膜メモリスタのメモリスタ特性の導電バッファ層による改善）というもの。当研究室で継続的に研究をすすめている、アモルファス金属酸化物半導体の新規デバイスで、大幅な特性全に成功しました。ニューロモーフィックシステムに活用できることが期待されます。

アモルファス金属酸化物半導体　：シリコンの次世代の半導体として期待されている新規材料
メモリスタ　　　　　　　　　　：第4の回路素子として注目を集めている記憶素子
ニューロモーフィックシステム　：ハードウェアによる人工知能で高効率化を実現できるシステム

木村睦研究室の卒業生の新規半導体デバイスの論文が出版